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RJP65T54DPM-E0#T2
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RJP65T54DPM-E0#T2 Spécifications techniques
IGBT TRENCH TO-3FP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 175°C TJ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Type | Standard |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ω, 15V |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
Switching Energy | 330μJ (on), 760μJ (off) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
Part Status | Obsolete |
Reach Compliance Code | compliant |
Power - Max | 63.5W |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.68V @ 15V, 30A |
Gate Charge | 72nC |
Td (on/off) @ 25°C | 35ns/120ns |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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