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S2000AF Spécifications techniques
TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 50W |
Package / Case | ISOWATT218FX |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4.5 @ 4.5A, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 1A, 4.5A |
Supplier Device Package | ISOWATT-218FX |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
S2000 | SYNAPTICS | Circuits intégrés spécialisés | 5964 |
S2000 IC | SYNAPTICS | Circuits intégrés spécialisés | 6154 |
S2000-FOAM | 3M | Outils Accessoires | |
S2000A | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2938 |
S2000A #T | N/A | Circuits intégrés spécialisés | 1000 |
S2000A3 | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 50 |
S2000A3 #T | N/A | Circuits intégrés spécialisés | 1000 |
S2000AF/N | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 310 |
S2000AFI | ST | Circuits intégrés spécialisés | 2786 |
S2000AFI #T | N/A | Circuits intégrés spécialisés | 1000 |
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