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SCT20N120 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 20V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 400V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Supplier Device Package | HiP247™ |
Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 20V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
SCT20N120 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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