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SCTWA50N120 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 40A, 20V
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package HiP247™
Power Dissipation (Max) 318W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Detailed Description N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
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