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STB18NM60ND
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STB18NM60ND Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | FDmesh™ II |
Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 6.5A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
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