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STB4N62K3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 1.9A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 620V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH3™
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
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