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STD8N60DM2 Spécifications techniques
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ |
Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
STD8N60DM2 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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STD8N10L | ST | Circuits intégrés spécialisés | 23026 |
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STD8N10L MOS | ST | Circuits intégrés spécialisés | 1362 |
STD8N65M5 | STMicroelectronics | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1220 |
STD8N80K5 | STMicroelectronics | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3612 |
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