STE110NS20FD Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MESH OVERLAY™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case ISOTOP
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 504nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
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