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STE180NE10 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 40A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | STripFET™ |
Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
Package / Case | ISOTOP |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 795nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
STE180-75T2KI | Vishay / Sprague | Condensateurs au tantale | 2532 |
STE180-75T2KI | Electro-Films (EFI) / Vishay | Condensateurs au tantale | 2706 |
STE180-75T2MI | Electro-Films (EFI) / Vishay | Condensateurs au tantale | 2612 |
STE180-75T2MI | Vishay / Sprague | Condensateurs au tantale | 2550 |
STE180N05 | ST | Modules IGBT | 2547 |
STE180N10 | ST | Modules IGBT | 2700 |
STE18NE10 | IGBT Module | Modules IGBT | 2930 |
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