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STFU6N65 Spécifications techniques
N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 2A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 463pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Power Dissipation (Max) | 620mW (Ta), 77W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
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