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STH160N4LF6-2
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STH160N4LF6-2 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | H2Pak-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 60A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8130pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
STH160N4LF6-2 MOS | ST | Circuits intégrés spécialisés | 3349 |
STH165N10F4-2 | ST | Circuits intégrés spécialisés | 1151 |
STH16NA40FI | ST | Circuits intégrés spécialisés | 2725 |
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