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STH180N10F3-2 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ III
Power Dissipation (Max) 315W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package H²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6665pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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