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STH52N10LF3-2AG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ F3
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 38 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 52A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package H2Pak-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 26A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
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