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STL26NM60N Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerFlat™ (8x8) HV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 125mW (Ta), 3W (Tc)
Package / Case 4-PowerFlat™ HV
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta), 19A (Tc)
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