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STP33N65M2 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ M2 |
Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | TO-220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 12A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1790pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
STP3300LF(10.0000MHZ) | RAKON | Circuits intégrés spécialisés | 100 |
STP33N10 | VBsemi | Circuits intégrés spécialisés | 10402 |
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STP33N10FI | ST | Circuits intégrés spécialisés | 3 |
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