TSM055N03EPQ56 RLG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names TSM055N03EPQ56 RLGDKR TSM055N03EPQ56 RLGDKR-ND TSM055N03EPQ56RLGDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 28 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1210pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 80A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.1nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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