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TSM085N03PQ33 RGG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names TSM085N03PQ33 RGGCT TSM085N03PQ33 RGGCT-ND TSM085N03PQ33RGGCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 30 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 817pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 52A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-PDFN (3x3)
Power Dissipation (Max) 37W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
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