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TSM1NB60CH C5G
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TSM1NB60CH C5G Spécifications techniques
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Other Names | TSM1NB60CH C5G-ND TSM1NB60CHC5G |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 52 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 1A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
TSM1NB60CH C5G Documents
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