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TSM1NB60SCT A3G
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TSM1NB60SCT A3G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 250mA, 10V |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Other Names | TSM1NB60SCT A3GTB TSM1NB60SCT A3GTB-ND TSM1NB60SCTA3GTB |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-92 |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92 |
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