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TSM2309CX RFG Spécifications techniques

MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names TSM2309CX RFGCT TSM2309CX RFGCT-ND TSM2309CXRFGCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 30 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 425pF @ 30V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 3.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23
Power Dissipation (Max) 1.56W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
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