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TSM2N7000KCT A3G
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TSM2N7000KCT A3G Spécifications techniques
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 10V |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Other Names | TSM2N7000KCT A3GTB TSM2N7000KCT A3GTB-ND TSM2N7000KCTA3GTB |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 20 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.32pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 60V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-92 |
Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
TSM2N7000KCT A3G Documents
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