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TSM2NB65CP ROG Spécifications techniques

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names TSM2NB65CP ROGTR TSM2NB65CP ROGTR-ND TSM2NB65CPROGTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 2A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
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