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TSM3N90CH C5G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Packaging Tube
Other Names TSM3N90CH C5G-ND TSM3N90CHC5G
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 748pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
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