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TSM60NB041PW C1G Spécifications techniques

MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 21.7A, 10V
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 78A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247
Power Dissipation (Max) 446W (Tc)
Other Names TSM60NB041PW C1G-ND TSM60NB041PWC1G
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 14 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6120pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 78A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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