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TSM650P02CX RFG
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TSM650P02CX RFG Spécifications techniques
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | TSM650P02CX RFGTR TSM650P02CX RFGTR-ND TSM650P02CXRFGTR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 40 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Detailed Description | P-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±10V |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Power Dissipation (Max) | 1.56W (Tc) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
TSM650P02CX RFG Documents
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