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TSM80N950CP ROG Spécifications techniques

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names TSM80N950CP ROGDKR TSM80N950CP ROGDKR-ND TSM80N950CPROGDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 30 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 691pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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