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TSM900N06CW RPG
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TSM900N06CW RPG Spécifications techniques
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | TSM900N06CW RPGTR TSM900N06CW RPGTR-ND TSM900N06CWRPGTR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 28 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 60V 11A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
TSM900N06CW RPG Documents
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Feuilles de données
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---|---|---|---|
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