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US1M R3G Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Package / Case | DO-214AC, SMA |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | US1M R3GTR US1M R3GTR-ND US1MR3GTR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 23 Weeks |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
US1M R3G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
US1M IC | PANJIT | Circuits intégrés spécialisés | 3526 |
US1M M2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodes - Redresseurs - Simple | 2770 |
US1M R2G | TSC | Circuits intégrés spécialisés | 2668 |
US1M R3 | TCS | Circuits intégrés spécialisés | 13200 |
US1M SMA | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 2419 |
US1M T/R | PANJIT | Circuits intégrés spécialisés | 18223 |
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