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TC58BVG2S0HBAI4 Spécifications techniques

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 25ns
Technology FLASH - NAND (SLC)
Series Benand™
Package / Case 63-VFBGA
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 63-TFBGA (9x11)
Packaging Tray
Other Names ASTC58BVG2S0HBAI4 TC58BVG2S0HBAI4JDH TC58BVG2S0HBAI4YCL TC58BVG2S0HBAIJDH
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 25ns
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 407
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Semiconductor and Storage Mémoire 6636
TC58BVG0S3HBAI4JDH TOSHIBA Circuits intégrés spécialisés 2576
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Semiconductor and Storage Mémoire 1113
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 10367
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TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Mémoire 91467
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 2991
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TC58BVG2S0HBAI4 fabricants de marques: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip action, TC58BVG2S0HBAI4 prix de référence. TC58BVG2S0HBAI4 paramètres, TC58BVG2S0HBAI4 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TC58BVG2S0HBAI4 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TC58BVG2S0HBAI4 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TC58BVG2S0HBAI4 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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