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TC58BVG2S0HTAI0 Spécifications techniques

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 25ns
Technology FLASH - NAND (SLC)
Series Benand™
Package / Case 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 48-TSOP I
Packaging Tray
Other Names TC58BVG2S0HTAI0B4H TC58BVG2S0HTAI0YCJ
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 25ns
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 407
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Semiconductor and Storage Mémoire 6636
TC58BVG0S3HBAI4JDH TOSHIBA Circuits intégrés spécialisés 2576
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Semiconductor and Storage Mémoire 1113
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 10367
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TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Mémoire 91467
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 2991
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TC58BVG2S0HTAI0 fabricants de marques: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip action, TC58BVG2S0HTAI0 prix de référence. TC58BVG2S0HTAI0 paramètres, TC58BVG2S0HTAI0 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TC58BVG2S0HTAI0 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TC58BVG2S0HTAI0 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TC58BVG2S0HTAI0 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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