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TC58CVG1S3HRAIG Spécifications techniques

2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND (SLC)
Package / Case 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Memory Size 2Gb (256M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (6x8)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Supplier Device Package 8-WSON (6x8)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface SPI
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 104MHz
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TC58CVG1S3HRAIG fabricants de marques: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip action, TC58CVG1S3HRAIG prix de référence. TC58CVG1S3HRAIG paramètres, TC58CVG1S3HRAIG Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TC58CVG1S3HRAIG Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TC58CVG1S3HRAIG schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TC58CVG1S3HRAIG tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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