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TC58NYG1S3HBAI4 Spécifications techniques

2G NAND SLC 24NM BGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 25ns
Technology FLASH - NAND (SLC)
Package / Case 63-VFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Size 2Gb (256M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Supplier Device Package 63-TFBGA (9x11)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
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TC58NYG1S3HBAI4 fabricants de marques: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip action, TC58NYG1S3HBAI4 prix de référence. TC58NYG1S3HBAI4 paramètres, TC58NYG1S3HBAI4 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TC58NYG1S3HBAI4 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TC58NYG1S3HBAI4 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TC58NYG1S3HBAI4 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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