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TH58BYG2S3HBAI4 Spécifications techniques

4G SLC NAND BGA 24NM

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND (SLC)
Series Benand™
Operating Temperature -40°C ~ 85°C
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply -
Supplier Device Package 63-TFBGA (9x11)
Package / Case 63-VFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
TH58BVG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 2673
TH58BVG2S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Mémoire 549
TH58BVG2S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 3172
TH58BVG2S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. Mémoire 2973
TH58BVG2S3HTAI0 Toshiba Semiconductor and Storage Mémoire 5382
TH58BVG2S3HTAI0B4H TOSHIBA-KI OXIA Circuits intégrés spécialisés 1331
TH58BVG2S3HTAI0B4M TOSHIBA-KI OXIA Circuits intégrés spécialisés 4575
TH58BVG3S0FTA00 TOSHIBA Circuits intégrés spécialisés 349
TH58BVG3S0HBAI6 Toshiba Semiconductor and Storage Circuits intégrés spécialisés 3408
TH58BVG3S0HBAI6 IC Toshiba Semiconductor and Storage Circuits intégrés spécialisés 3457

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TH58BYG2S3HBAI4 fabricants de marques: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip action, TH58BYG2S3HBAI4 prix de référence. TH58BYG2S3HBAI4 paramètres, TH58BYG2S3HBAI4 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TH58BYG2S3HBAI4 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TH58BYG2S3HBAI4 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TH58BYG2S3HBAI4 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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