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THGAF8G9T43BAIR Spécifications techniques

IC FLASH 512G UFS 153VFBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND
Series Consumer UFS
Package / Case 153-VFBGA
Operating Temperature -25°C ~ 85°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 512Gb (64G x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 153-VFBGA (11.5x13)
Packaging Tray
Other Names THGAF8G9T43BAIRH2L
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface UFS
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
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THGAF8G9T43BAIR fabricants de marques: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip action, THGAF8G9T43BAIR prix de référence. THGAF8G9T43BAIR paramètres, THGAF8G9T43BAIR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le THGAF8G9T43BAIR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver THGAF8G9T43BAIR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, THGAF8G9T43BAIR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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