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2SA1930,Q(J Spécifications techniques

TRANS PNP 2A 180V TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 180V
Transistor Type PNP
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-220NIS
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 5µA (ICBO)
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2SA1930,Q(J fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, 2SA1930,Q(J prix de référence. 2SA1930,Q(J paramètres, 2SA1930,Q(J Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 2SA1930,Q(J Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 2SA1930,Q(J schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 2SA1930,Q(J tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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