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2SC2235-Y,T6F(J Spécifications techniques

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type NPN
Power - Max 900mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92MOD
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 120MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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