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2SC5359-O(Q) Spécifications techniques

2SC5359-O(Q) datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Toshiba Semiconductor and Storage stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Bulk
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 180W
Number of Elements 1
Power Dissipation 180W
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 230V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 1A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A
Collector Emitter Saturation Voltage 3V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 26mm
Width 5.2mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-3PL
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Subcategory Other Transistors
Frequency 30MHz
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 30MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 15A
Current - Collector Cutoff (Max) 5μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 230V
Collector Base Voltage (VCBO) 230V
hFE Min 80
Length 20.5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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2SC5359-O(Q) fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, 2SC5359-O(Q) prix de référence. 2SC5359-O(Q) paramètres, 2SC5359-O(Q) Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 2SC5359-O(Q) Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 2SC5359-O(Q) schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 2SC5359-O(Q) tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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