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2SK2719(F) Spécifications techniques

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-3P(N)
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
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2SK2719(F) fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, 2SK2719(F) prix de référence. 2SK2719(F) paramètres, 2SK2719(F) Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 2SK2719(F) Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 2SK2719(F) schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 2SK2719(F) tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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