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2SK3128(Q) Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-3P(N) |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
2SK3128(Q) Documents
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---|---|---|---|
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