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2SK3662(F) Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220NIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5120pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIII
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta)
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2SK3662(F) fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, 2SK3662(F) prix de référence. 2SK3662(F) paramètres, 2SK3662(F) Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 2SK3662(F) Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 2SK3662(F) schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 2SK3662(F) tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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