2SK879-Y(TE85L,F) Spécifications techniques

JFET N-CH 0.1W USM

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - JFET
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 400mV @ 100nA
Resistance - RDS(On) -
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 125°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8.2pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package USM
Power - Max 100mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
FET Type N-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V
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