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DF10G5M4N,LF
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DF10G5M4N,LF Spécifications techniques
TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Protection de circuit / Diodes TVS |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 4V |
Supplier Device Package | 10-DFN (2.5x1) |
Power - Peak Pulse | 30W |
Package / Case | 10-UFDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Capacitance @ Frequency | 0.2pF @ 1MHz |
Applications | General Purpose |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 24V |
Type | Zener |
Power Line Protection | No |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | - |
Current - Peak Pulse (10/1000µs) | 2A (8/20µs) |
Bidirectional Channels | 4 |
DF10G5M4N,LF Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
DF10G5M4N | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 222000 |
DF10G5M4N ,LF IC | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 5712 |
DF10G6M4N | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 131198 |
DF10G6M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Diodes TVS | 125800 |
DF10G7M1N | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 592 |
DF10G7M1N ,LF(D | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 505 |
DF10G7M1N LF | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 9500 |
DF10G7M1N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Diodes TVS | 2663 |
DF10G7M1N.LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 9000 |
DF10G7M1NLF | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2191 |
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