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GT60N321(Q) Spécifications techniques

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition -
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Type Standard
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
Td (on/off) @ 25°C 330ns/700ns
Supplier Device Package TO-3P(LH)
Power - Max 170W
Package / Case TO-3PL
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
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GT60N321(Q) fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, GT60N321(Q) prix de référence. GT60N321(Q) paramètres, GT60N321(Q) Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le GT60N321(Q) Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver GT60N321(Q) schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, GT60N321(Q) tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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