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HN1A01FE-Y,LF
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HN1A01FE-Y,LF Spécifications techniques
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Supplier Device Package | ES6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 80MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
HN1A01FE-Y,LF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
HN1A01F | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2588 |
HN1A01F-GR | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2973 |
HN1A01F-GR(TE85L | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2570 |
HN1A01F-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
HN1A01F-GR(TE85LF) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
HN1A01F-V | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
HN1A01F-Y | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2973 |
HN1A01F-Y TE85LF | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 6500 |
HN1A01F-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2683 |
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