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HN1B01F-GR(TE85L,F
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HN1B01F-GR(TE85L,F Spécifications techniques
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN, PNP |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Supplier Device Package | SM6 |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 125°C (TJ) |
Frequency - Transition | 120MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
HN1B01F-GR | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 4022 |
HN1B01F-GR TE85L | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 6439 |
HN1B01F-GR(T5L | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
HN1B01F-GR(T5L ,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
HN1B01F-GR(T5L,T) | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
HN1B01F-GR(TE85L) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 3520 |
HN1B01F-Y | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2246 |
HN1B01F-Y TE85L | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 18500 |
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