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HN1C01FE-GR,LF Spécifications techniques

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package ES6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 80MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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HN1C01FE-GR,LF fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, HN1C01FE-GR,LF prix de référence. HN1C01FE-GR,LF paramètres, HN1C01FE-GR,LF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le HN1C01FE-GR,LF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver HN1C01FE-GR,LF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, HN1C01FE-GR,LF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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