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HN1C01FU-Y,LF Spécifications techniques
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 80MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 125°C TJ |
Part Status | Active |
Power - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
HN1C01FU-Y,LF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
HN1C01F | TOSBHIB | Circuits intégrés spécialisés | 9110 |
HN1C01F-G | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
HN1C01F-GR | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 47023 |
HN1C01F-GR (TE85L | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 6189 |
HN1C01F-GR (TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 5800 |
HN1C01F-GR TE85L,F | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 24500 |
HN1C01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2701 |
HN1C01F-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 21000 |
HN1C01F-GR(TE85L.F | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 987 |
HN1C01F-Y | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 55501 |
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