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RN1102T5LFT Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 100mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SSM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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RN1102T5LFT fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, RN1102T5LFT prix de référence. RN1102T5LFT paramètres, RN1102T5LFT Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RN1102T5LFT Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RN1102T5LFT schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RN1102T5LFT tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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