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RN1106MFV,L3F
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RN1106MFV,L3F Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-723 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 16 Weeks |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Supplier Device Package | VESM |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | RN1106MFV,L3F(B RN1106MFV,L3F(T RN1106MFVL3F RN1106MFVL3F(B RN1106MFVL3F(T RN1106MFVL3F-ND RN1106MFVL3FTR |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN1106MFV,L3F Documents
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