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RN1108MFV,L3F Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case SOT-723
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Power - Max 150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
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RN1108MFV,L3F fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, RN1108MFV,L3F prix de référence. RN1108MFV,L3F paramètres, RN1108MFV,L3F Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RN1108MFV,L3F Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RN1108MFV,L3F schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RN1108MFV,L3F tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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